Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA436DJ-T1-GE3

بخش سهام: 119071

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI6415DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6415DQ-T1-E3

بخش سهام: 101835

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIRA01DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA01DP-T1-GE3

بخش سهام: 9909

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Ta), 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ407EP-T1_GE3

بخش سهام: 134372

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIB408DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB408DK-T1-GE3

بخش سهام: 127930

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5468DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5468DC-T1-GE3

بخش سهام: 193145

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL530PBF
Vishay Siliconix

IRL530PBF

بخش سهام: 51245

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

لیست علاقه مندیها
IRFU9214PBF
Vishay Siliconix

IRFU9214PBF

بخش سهام: 98690

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SISH106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH106DN-T1-GE3

بخش سهام: 9993

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIS439DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

بخش سهام: 185636

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR158DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-RE3

بخش سهام: 9977

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI8457DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8457DB-T1-E1

بخش سهام: 116255

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SQ3418EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

بخش سهام: 1167

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5429DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5429DU-T1-GE3

بخش سهام: 1399

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7430DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-GE3

بخش سهام: 61511

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5855CDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5855CDC-T1-E3

بخش سهام: 130824

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI7868ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7868ADP-T1-E3

بخش سهام: 30942

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIRA10DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

بخش سهام: 158534

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJA68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

بخش سهام: 9941

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

بخش سهام: 1242

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1403BDL-T1-GE3

بخش سهام: 9957

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI7309DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7309DN-T1-E3

بخش سهام: 158562

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR1N60ATRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRLPBF

بخش سهام: 98672

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHD9N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD9N60E-GE3

بخش سهام: 78467

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIS452DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS452DN-T1-GE3

بخش سهام: 125881

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

بخش سهام: 1196

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIRA26DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA26DP-T1-RE3

بخش سهام: 9924

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2374DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2374DS-T1-GE3

بخش سهام: 137862

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

بخش سهام: 9922

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1499DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1499DH-T1-E3

بخش سهام: 153359

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI7113DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7113DN-T1-E3

بخش سهام: 52520

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIRC10DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

بخش سهام: 188404

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR616DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

بخش سهام: 111187

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-GE3

بخش سهام: 141992

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA04DN-T1-GE3

بخش سهام: 132149

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

بخش سهام: 1231

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها