ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه | محصولات نیمه هادی گسسته | 6

RN1112(T5L,F,T)

بخش سهام: 1924

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

بخش سهام: 126227

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

بخش سهام: 1912

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

بخش سهام: 100188

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

بخش سهام: 1954

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

بخش سهام: 1987

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

بخش سهام: 1976

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

بخش سهام: 1970

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

بخش سهام: 1984

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

بخش سهام: 2177

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

بخش سهام: 1902

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

بخش سهام: 9904

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

بخش سهام: 116634

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

بخش سهام: 1960

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 300mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 200 @ 4mA, 2V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

بخش سهام: 2029

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

بخش سهام: 1997

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

بخش سهام: 128621

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

بخش سهام: 1985

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

بخش سهام: 1935

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

بخش سهام: 1956

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

بخش سهام: 2014

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

بخش سهام: 176393

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

بخش سهام: 158736

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

بخش سهام: 147458

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

بخش سهام: 1999

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

بخش سهام: 1905

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

بخش سهام: 1959

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

بخش سهام: 1945

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

بخش سهام: 159037

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

بخش سهام: 1965

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

بخش سهام: 1933

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

بخش سهام: 3234

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

بخش سهام: 1981

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

بخش سهام: 184462

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

بخش سهام: 140630

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

بخش سهام: 164879

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها