Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

بخش سهام: 2145

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

بخش سهام: 90

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

بخش سهام: 186078

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

بخش سهام: 2192

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

بخش سهام: 178191

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

بخش سهام: 171892

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

بخش سهام: 189

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

بخش سهام: 146891

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

بخش سهام: 81

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

بخش سهام: 162509

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

بخش سهام: 165156

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

بخش سهام: 146

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

بخش سهام: 2124

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

بخش سهام: 2193

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

بخش سهام: 128

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

بخش سهام: 188

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 100 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 100 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

بخش سهام: 102439

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

بخش سهام: 3308

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

بخش سهام: 166487

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

بخش سهام: 3223

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

بخش سهام: 147502

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

بخش سهام: 2025

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

بخش سهام: 1951

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

بخش سهام: 135884

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

بخش سهام: 1906

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

بخش سهام: 3274

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

بخش سهام: 3264

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 80mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

بخش سهام: 123572

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

بخش سهام: 1971

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

بخش سهام: 197244

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

بخش سهام: 3192

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

بخش سهام: 1945

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

بخش سهام: 3219

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

بخش سهام: 1973

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

بخش سهام: 1960

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 20V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

بخش سهام: 1923

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها