Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
FDD6780
ON Semiconductor

FDD6780

بخش سهام: 569

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16.5A (Ta), 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTR1P02T3
ON Semiconductor

NTR1P02T3

بخش سهام: 328

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD32N06-1G
ON Semiconductor

NTD32N06-1G

بخش سهام: 357

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD6600N
ON Semiconductor

NTD6600N

بخش سهام: 317

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

لیست علاقه مندیها
NTJS3151PT2
ON Semiconductor

NTJS3151PT2

بخش سهام: 364

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NTHD5904NT1
ON Semiconductor

NTHD5904NT1

بخش سهام: 354

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDB8453LZ
ON Semiconductor

FDB8453LZ

بخش سهام: 432

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16.1A (Ta), 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 17.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4839NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4839NT3G

بخش سهام: 6095

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.5A (Ta), 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTLJS2103PTAG
ON Semiconductor

NTLJS2103PTAG

بخش سهام: 522

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FQB5N90TM
ON Semiconductor

FQB5N90TM

بخش سهام: 60182

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.3 Ohm @ 2.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4708NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4708NT3G

بخش سهام: 312

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD3817NT4G
ON Semiconductor

NTD3817NT4G

بخش سهام: 563

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 16V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTHS4501NT1
ON Semiconductor

NTHS4501NT1

بخش سهام: 390

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 4.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDPF7N50U
ON Semiconductor

FDPF7N50U

بخش سهام: 418

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTS4101PT1
ON Semiconductor

NTS4101PT1

بخش سهام: 382

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.37A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NTP2955
ON Semiconductor

NTP2955

بخش سهام: 317

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 196 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD6N50FTF
ON Semiconductor

FDD6N50FTF

بخش سهام: 421

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTJS4405NT4G
ON Semiconductor

NTJS4405NT4G

بخش سهام: 337

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NTP35N15G
ON Semiconductor

NTP35N15G

بخش سهام: 6031

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 37A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 18.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4860NAT4G
ON Semiconductor

NTD4860NAT4G

بخش سهام: 547

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4857NT4G
ON Semiconductor

NTD4857NT4G

بخش سهام: 538

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), 78A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTY100N10
ON Semiconductor

NTY100N10

بخش سهام: 321

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 123A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD50N03R-035
ON Semiconductor

NTD50N03R-035

بخش سهام: 306

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A (Ta), 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

لیست علاقه مندیها
NTMS4706NR2
ON Semiconductor

NTMS4706NR2

بخش سهام: 323

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD60N02RG
ON Semiconductor

NTD60N02RG

بخش سهام: 320

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.5A (Ta), 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4858N-1G
ON Semiconductor

NTD4858N-1G

بخش سهام: 474

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.2A (Ta), 73A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4863N-35G
ON Semiconductor

NTD4863N-35G

بخش سهام: 486

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.2A (Ta), 49A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4809NA-1G
ON Semiconductor

NTD4809NA-1G

بخش سهام: 454

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.6A (Ta), 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD3055L170G
ON Semiconductor

NTD3055L170G

بخش سهام: 308

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

لیست علاقه مندیها
NTB5605T4G
ON Semiconductor

NTB5605T4G

بخش سهام: 524

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 8.5A, 5V,

لیست علاقه مندیها
FDZ4670
ON Semiconductor

FDZ4670

بخش سهام: 387

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4302
ON Semiconductor

NTD4302

بخش سهام: 276

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.4A (Ta), 68A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4813NH-35G
ON Semiconductor

NTD4813NH-35G

بخش سهام: 444

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A (Ta), 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD3817N-35G
ON Semiconductor

NTD3817N-35G

بخش سهام: 519

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 16V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTLGF3501NT1G
ON Semiconductor

NTLGF3501NT1G

بخش سهام: 338

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NTHD3133PFT1G
ON Semiconductor

NTHD3133PFT1G

بخش سهام: 538

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها