Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
FDP51N25
ON Semiconductor

FDP51N25

بخش سهام: 23411

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 51A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor

NTB60N06LT4G

بخش سهام: 855

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 30A, 5V,

لیست علاقه مندیها
FDU8780_F071
ON Semiconductor

FDU8780_F071

بخش سهام: 691

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB039N06
ON Semiconductor

FDB039N06

بخش سهام: 6119

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLM220ATF
ON Semiconductor

IRLM220ATF

بخش سهام: 174026

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.13A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
FQD16N25CTM_F080
ON Semiconductor

FQD16N25CTM_F080

بخش سهام: 645

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDC3512_F095
ON Semiconductor

FDC3512_F095

بخش سهام: 6093

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MTD6N15T4G
ON Semiconductor

MTD6N15T4G

بخش سهام: 602

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NDS7002A_D87Z
ON Semiconductor

NDS7002A_D87Z

بخش سهام: 579

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDS7764A
ON Semiconductor

FDS7764A

بخش سهام: 704

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FQT13N06LTF
ON Semiconductor

FQT13N06LTF

بخش سهام: 168040

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4837NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT1G

بخش سهام: 847

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), 74A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMS4705NR2G
ON Semiconductor

NTMS4705NR2G

بخش سهام: 825

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQT13N06TF
ON Semiconductor

FQT13N06TF

بخش سهام: 169448

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB12N50UTM_WS
ON Semiconductor

FDB12N50UTM_WS

بخش سهام: 659

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4108NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4108NT1G

بخش سهام: 904

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
CPH6341-TL-E
ON Semiconductor

CPH6341-TL-E

بخش سهام: 876

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD78N03T4G
ON Semiconductor

NTD78N03T4G

بخش سهام: 813

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.4A (Ta), 78A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFW540ATM
ON Semiconductor

IRFW540ATM

بخش سهام: 750

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDPF20N50T
ON Semiconductor

FDPF20N50T

بخش سهام: 23375

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD7P06TM_F080
ON Semiconductor

FQD7P06TM_F080

بخش سهام: 692

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTJS4160NT1G
ON Semiconductor

NTJS4160NT1G

بخش سهام: 841

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4847NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4847NAT1G

بخش سهام: 701

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A (Ta), 85A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDA62N28
ON Semiconductor

FDA62N28

بخش سهام: 570

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 280V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 62A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 31A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDMB506P
ON Semiconductor

FDMB506P

بخش سهام: 657

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDC3612_F095
ON Semiconductor

FDC3612_F095

بخش سهام: 608

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB047N10
ON Semiconductor

FDB047N10

بخش سهام: 29699

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDP6670AL
ON Semiconductor

FDP6670AL

بخش سهام: 603

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDI040N06
ON Semiconductor

FDI040N06

بخش سهام: 876

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR120ATF
ON Semiconductor

IRLR120ATF

بخش سهام: 793

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 220 mOhm @ 4.2A, 5V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4121NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4121NT1G

بخش سهام: 816

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4858NAT4G
ON Semiconductor

NTD4858NAT4G

بخش سهام: 707

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SFW9Z34TM
ON Semiconductor

SFW9Z34TM

بخش سهام: 706

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NDT454P
ON Semiconductor

NDT454P

بخش سهام: 101089

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDC655AN
ON Semiconductor

FDC655AN

بخش سهام: 569

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQPF47P06
ON Semiconductor

FQPF47P06

بخش سهام: 22005

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها