Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
HUF76439S3ST
ON Semiconductor

HUF76439S3ST

بخش سهام: 52379

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor

FDB045AN08A0-F085

بخش سهام: 64

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD4904NT4G
ON Semiconductor

NTD4904NT4G

بخش سهام: 178458

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), 79A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTD24N06T4G
ON Semiconductor

NTD24N06T4G

بخش سهام: 183950

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDP7N60NZ
ON Semiconductor

FDP7N60NZ

بخش سهام: 89755

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD86110
ON Semiconductor

FDD86110

بخش سهام: 65814

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.5A (Ta), 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDP150N10A-F102
ON Semiconductor

FDP150N10A-F102

بخش سهام: 88

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQP6N80C
ON Semiconductor

FQP6N80C

بخش سهام: 89271

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor

NTLUS4C12NTAG

بخش سهام: 154063

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVD5C460NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

بخش سهام: 129

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Ta), 73A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD6680AS
ON Semiconductor

FDD6680AS

بخش سهام: 165412

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 55A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor

CPH3350-TL-W

بخش سهام: 144634

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDD3690
ON Semiconductor

FDD3690

بخش سهام: 118201

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQB11N40CTM
ON Semiconductor

FQB11N40CTM

بخش سهام: 83287

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ECH8309-TL-H
ON Semiconductor

ECH8309-TL-H

بخش سهام: 156152

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDMC2674
ON Semiconductor

FDMC2674

بخش سهام: 113572

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 220V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDMS7672AS
ON Semiconductor

FDMS7672AS

بخش سهام: 155908

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A (Ta), 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT1G

بخش سهام: 72

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor

NVATS68301PZT4G

بخش سهام: 118

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 31A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH3375-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3375-TL-W-Z

بخش سهام: 110864

ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD7N10LTM
ON Semiconductor

FQD7N10LTM

بخش سهام: 145414

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD8445
ON Semiconductor

FDD8445

بخش سهام: 134304

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD2N60CTM
ON Semiconductor

FQD2N60CTM

بخش سهام: 190174

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A108PLZT4G

بخش سهام: 84654

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB0630N1507L
ON Semiconductor

FDB0630N1507L

بخش سهام: 19651

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 130A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVE4153NT1G
ON Semiconductor

NVE4153NT1G

بخش سهام: 169814

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 915mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDS6298
ON Semiconductor

FDS6298

بخش سهام: 134298

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVGS3130NT1G
ON Semiconductor

NVGS3130NT1G

بخش سهام: 154395

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDB024N04AL7
ON Semiconductor

FDB024N04AL7

بخش سهام: 30642

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDS8870
ON Semiconductor

FDS8870

بخش سهام: 94656

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH6337-TL-W
ON Semiconductor

MCH6337-TL-W

بخش سهام: 104594

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FQB8N90CTM
ON Semiconductor

FQB8N90CTM

بخش سهام: 48227

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVATS4A102PZT4G
ON Semiconductor

NVATS4A102PZT4G

بخش سهام: 163879

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 44A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor

FDD1600N10ALZ

بخش سهام: 154084

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 3.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQB4N80TM
ON Semiconductor

FQB4N80TM

بخش سهام: 83054

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQT4N25TF
ON Semiconductor

FQT4N25TF

بخش سهام: 170007

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 830mA (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V,

لیست علاقه مندیها