Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
FQPF20N06L
ON Semiconductor

FQPF20N06L

بخش سهام: 57269

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT3G

بخش سهام: 22706

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 54A (Ta), 334A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD050N03B
ON Semiconductor

FDD050N03B

بخش سهام: 199639

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB2552
ON Semiconductor

FDB2552

بخش سهام: 57289

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), 37A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH3478-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3478-TL-W-Z

بخش سهام: 196866

ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
MCH3479-TL-W
ON Semiconductor

MCH3479-TL-W

بخش سهام: 114695

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FDD6630A
ON Semiconductor

FDD6630A

بخش سهام: 167158

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB070AN06A0
ON Semiconductor

FDB070AN06A0

بخش سهام: 59371

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

بخش سهام: 163879

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ECH8315-TL-H
ON Semiconductor

ECH8315-TL-H

بخش سهام: 175911

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDPF190N15A
ON Semiconductor

FDPF190N15A

بخش سهام: 29084

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 27.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTP6410ANG
ON Semiconductor

NTP6410ANG

بخش سهام: 34781

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 76A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQB6N80TM
ON Semiconductor

FQB6N80TM

بخش سهام: 27873

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDB035N10A
ON Semiconductor

FDB035N10A

بخش سهام: 24746

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH3383-TL-W
ON Semiconductor

MCH3383-TL-W

بخش سهام: 186098

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0.9V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

لیست علاقه مندیها
FQD19N10TM
ON Semiconductor

FQD19N10TM

بخش سهام: 190200

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQB33N10LTM
ON Semiconductor

FQB33N10LTM

بخش سهام: 95450

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
HUF75639S3ST
ON Semiconductor

HUF75639S3ST

بخش سهام: 54485

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD8P10TM-F085
ON Semiconductor

FQD8P10TM-F085

بخش سهام: 138

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDP047N08-F102
ON Semiconductor

FDP047N08-F102

بخش سهام: 114

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 164A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 Ohm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
CPH6443-TL-W
ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

بخش سهام: 103186

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH3374-TL-E
ON Semiconductor

MCH3374-TL-E

بخش سهام: 174170

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor

CPH6444-TL-W

بخش سهام: 190869

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD4P25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4P25TM-WS

بخش سهام: 76

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD7N20LTM
ON Semiconductor

FQD7N20LTM

بخش سهام: 186597

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTNS3190NZT5G
ON Semiconductor

NTNS3190NZT5G

بخش سهام: 188849

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 224mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor

NCV8440ASTT3G

بخش سهام: 158511

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 59V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FQD5N20LTM
ON Semiconductor

FQD5N20LTM

بخش سهام: 197937

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT1G

بخش سهام: 20737

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 54A (Ta), 334A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT1G

بخش سهام: 112

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Ta), 140A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
MCH6431-TL-W
ON Semiconductor

MCH6431-TL-W

بخش سهام: 146667

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDD4243-F085
ON Semiconductor

FDD4243-F085

بخش سهام: 73

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.7A (Ta), 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
FDS4465-F085
ON Semiconductor

FDS4465-F085

بخش سهام: 119

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
FQP70N10
ON Semiconductor

FQP70N10

بخش سهام: 30568

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 57A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NVD5C478NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

بخش سهام: 100

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
NTGS3446T1G
ON Semiconductor

NTGS3446T1G

بخش سهام: 184967

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها