ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 6

LND150N8-G

بخش سهام: 155053

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

LND150K1-G

بخش سهام: 187815

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN2540N8-G

بخش سهام: 74252

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2540N8-G

بخش سهام: 63450

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 125mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

DN2470K4-G

بخش سهام: 115852

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 Ohm @ 100mA, 0V,

لیست علاقه مندیها