ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

بخش سهام: 65888

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 86mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

بخش سهام: 174415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 310mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

بخش سهام: 183557

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

لیست علاقه مندیها

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

بخش سهام: 87196

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 700mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

بخش سهام: 166136

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

بخش سهام: 71164

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

بخش سهام: 96918

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 190mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN2124K1-G

بخش سهام: 145383

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 134mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VP2450N8-G

بخش سهام: 58167

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2522N8-G

بخش سهام: 71202

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 220V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN5335K1-G

بخش سهام: 124592

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 350V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP5322N8-G

بخش سهام: 145311

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 220V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

DN3535N8-G

بخش سهام: 136838

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 350V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

لیست علاقه مندیها

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

بخش سهام: 102565

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 320mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN5325N8-G

بخش سهام: 158539

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 316mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

بخش سهام: 145391

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 215mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

بخش سهام: 102649

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 320mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2510N8-G

بخش سهام: 81155

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 480mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN0106N3-G

بخش سهام: 93893

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP0604N3-G

بخش سهام: 57712

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 430mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN3205N3-G

بخش سهام: 56360

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.2A (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN4012L-G

بخش سهام: 47260

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VP2206N2

بخش سهام: 5360

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2540N3-G

بخش سهام: 52692

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 86mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

DN3545N3-G

بخش سهام: 104685

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 136mA, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2640N3-G

بخش سهام: 45489

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN0610N3-G

بخش سهام: 73267

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP0620N3-G

بخش سهام: 52772

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 175mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN2450N3-G

بخش سهام: 64862

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TP2635N3-G

بخش سهام: 47311

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 350V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN0606L-G

بخش سهام: 62684

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 330mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN2460N3-G

بخش سهام: 62683

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VN0808L-G

بخش سهام: 62599

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

TN0606N3-G

بخش سهام: 93941

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

VP2450N3-G

بخش سهام: 46076

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Microchip Technology

DN2540N5-G

بخش سهام: 53451

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Tj), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

لیست علاقه مندیها

185

«
1
2
3
4
5
6
»