Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

بخش سهام: 1884

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

بخش سهام: 1842

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

بخش سهام: 1916

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

بخش سهام: 1847

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

بخش سهام: 1847

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

بخش سهام: 3227

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

بخش سهام: 1904

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

بخش سهام: 1869

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

بخش سهام: 1877

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

بخش سهام: 1883

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

بخش سهام: 1898

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

بخش سهام: 3268

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

بخش سهام: 1845

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

بخش سهام: 1848

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

بخش سهام: 1892

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

بخش سهام: 1871

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183WE6327HTSA1

بخش سهام: 1865

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 183T E6327
Infineon Technologies

BCR 183T E6327

بخش سهام: 1847

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 183L3 E6327

بخش سهام: 1907

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 183F E6327
Infineon Technologies

BCR 183F E6327

بخش سهام: 3202

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 183 B6327
Infineon Technologies

BCR 183 B6327

بخش سهام: 1927

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 179T E6327
Infineon Technologies

BCR 179T E6327

بخش سهام: 1862

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 179L3 E6327

بخش سهام: 1836

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 179F E6327
Infineon Technologies

BCR 179F E6327

بخش سهام: 1917

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR169WE6327HTSA1

بخش سهام: 1909

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 169T E6327
Infineon Technologies

BCR 169T E6327

بخش سهام: 3183

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 169L3 E6327

بخش سهام: 1869

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 169F E6327
Infineon Technologies

BCR 169F E6327

بخش سهام: 1913

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 166T E6327
Infineon Technologies

BCR 166T E6327

بخش سهام: 1873

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 166L3 E6327

بخش سهام: 1856

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 166F E6327
Infineon Technologies

BCR 166F E6327

بخش سهام: 1832

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR166B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR166B6327HTLA1

بخش سهام: 1908

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 164L3 E6327

بخش سهام: 1830

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 164T E6327
Infineon Technologies

BCR 164T E6327

بخش سهام: 3231

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 164F E6327
Infineon Technologies

BCR 164F E6327

بخش سهام: 1842

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
BCR 162T E6327
Infineon Technologies

BCR 162T E6327

بخش سهام: 1839

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

لیست علاقه مندیها