ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

IPI040N06N3GHKSA1

بخش سهام: 774

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPD25CNE8N G

بخش سهام: 805

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP50R520CPHKSA1

بخش سهام: 74948

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 550V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPI50R140CP

بخش سهام: 805

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 550V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFS3006-7PPBF

بخش سهام: 10257

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 240A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 168A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB100N04S2L03ATMA1

بخش سهام: 752

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB100N06S2L05ATMA1

بخش سهام: 775

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP80N04S303AKSA1

بخش سهام: 49428

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPI05CN10N G

بخش سهام: 767

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFS4010PBF

بخش سهام: 694

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP47N10S33AKSA1

بخش سهام: 771

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP80N06S2L11AKSA1

بخش سهام: 814

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF6720S2TR1PBF

بخش سهام: 680

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB096N03LGATMA1

بخش سهام: 666

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPW60R041C6FKSA1

بخش سهام: 651

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 44.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPS105N03LGAKMA1

بخش سهام: 646

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP70N04S307AKSA1

بخش سهام: 811

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 70A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFHM830TRPBF

بخش سهام: 161689

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPD12CN10NGBUMA1

بخش سهام: 791

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 67A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.4 mOhm @ 67A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPS040N03LGBKMA1

بخش سهام: 72572

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPD33CN10NGBUMA1

بخش سهام: 785

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 27A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPD26N06S2L35ATMA1

بخش سهام: 751

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB80N06S208ATMA1

بخش سهام: 794

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 58A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB50CN10NGATMA1

بخش سهام: 741

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFH5007TRPBF

بخش سهام: 51168

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPS031N03L G

بخش سهام: 668

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB77N06S212ATMA1

بخش سهام: 752

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 38A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB160N04S203ATMA1

بخش سهام: 794

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 60A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF5305STRLPBF

بخش سهام: 95088

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 31A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP100N06S2L05AKSA1

بخش سهام: 822

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPS135N03LGAKMA1

بخش سهام: 679

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFH8316TRPBF

بخش سهام: 199287

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Ta), 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.95 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPI80N06S208AKSA1

بخش سهام: 792

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

SPS01N60C3

بخش سهام: 770

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP35CN10N G

بخش سهام: 851

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLR3636PBF

بخش سهام: 41423

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها