ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

IRF1404SPBF

بخش سهام: 9646

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 162A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL3402SPBF

بخش سهام: 9637

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 85A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 51A, 7V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF1010EZLPBF

بخش سهام: 9690

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL1004LPBF

بخش سهام: 9680

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 130A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 78A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF450

بخش سهام: 9523

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLR2705TRPBF

بخش سهام: 175991

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3704SPBF

بخش سهام: 9566

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL3502STRRPBF

بخش سهام: 9748

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 64A, 7V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7353D2PBF

بخش سهام: 9715

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR3303TRLPBF

بخش سهام: 9712

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR2905ZPBF

بخش سهام: 9709

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR2405TRRPBF

بخش سهام: 9773

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLR7843TRPBF

بخش سهام: 123865

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 161A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL3302PBF

بخش سهام: 9615

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 23A, 7V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7207TRPBF

بخش سهام: 9779

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFZ48NLPBF

بخش سهام: 9695

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 32A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL3103SPBF

بخش سهام: 9636

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF630NSTRRPBF

بخش سهام: 9724

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 5.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL1104PBF

بخش سهام: 9668

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 104A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR3707ZPBF

بخش سهام: 9777

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR7440TRPBF

بخش سهام: 137167

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7463PBF

بخش سهام: 9786

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3709ZSPBF

بخش سهام: 9624

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 87A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFU3704ZPBF

بخش سهام: 9533

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3706SPBF

بخش سهام: 9655

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFU9120NPBF

بخش سهام: 5651

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 480 mOhm @ 3.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR18N15DPBF

بخش سهام: 103477

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPT004N03LATMA1

بخش سهام: 29878

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 0.4 mOhm @ 150A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR48ZPBF

بخش سهام: 125851

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3707ZSTRR

بخش سهام: 9555

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFB4610PBF

بخش سهام: 37412

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 73A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL2505SPBF

بخش سهام: 9634

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 104A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPP100N06S205AKSA2

بخش سهام: 9521

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPU80R2K8CEAKMA1

بخش سهام: 133602

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3707ZCLPBF

بخش سهام: 9652

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF1310NSPBF

بخش سهام: 81928

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

لیست علاقه مندیها