ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 12

DMN6066SSD-13

بخش سهام: 191351

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC4040SSD-13

بخش سهام: 197787

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.8V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMHC3F381N8TC

بخش سهام: 158568

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.98A, 3.36A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP3098LSD-13

بخش سهام: 100979

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC2038LVT-7

بخش سهام: 126085

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC4015SSD-13

بخش سهام: 158558

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.6A, 6.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC2020USD-13

بخش سهام: 192882

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A, 6.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN601DMK-7

بخش سهام: 108557

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 510mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC3021LSD-13

بخش سهام: 164162

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.5A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2041LSD-13

بخش سهام: 151153

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.63A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN63D8LV-7

بخش سهام: 151779

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZDM4306NTC

بخش سهام: 2685

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC2990UDJ-7

بخش سهام: 146844

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 450mA, 310mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-13

بخش سهام: 178082

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG6968UDM-7

بخش سهام: 152996

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13

بخش سهام: 169983

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3018SSD-13

بخش سهام: 138401

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2004VK-7

بخش سهام: 165948

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP4025LSD-13

بخش سهام: 193316

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.8V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

بخش سهام: 177171

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN5L06VK-7

بخش سهام: 133884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

بخش سهام: 104906

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

بخش سهام: 162696

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DI9956T

بخش سهام: 2624

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

بخش سهام: 106764

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC31D5UDJ-7B

بخش سهام: 166000

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 200mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP2004VK-7

بخش سهام: 179589

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 530mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN3AM832TA

بخش سهام: 2640

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

بخش سهام: 182168

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC2700UDM-7

بخش سهام: 130711

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.34A, 1.14A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

بخش سهام: 180355

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 4.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

بخش سهام: 104503

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.03A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

بخش سهام: 171759

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

بخش سهام: 2684

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTA

بخش سهام: 60635

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

بخش سهام: 146068

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 360mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها