ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 40

DMN6140LQ-13

بخش سهام: 176543

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG302PU-13

بخش سهام: 139822

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMTH4007SPS-13

بخش سهام: 158503

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15.7A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT3003LFG-7

بخش سهام: 102437

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP3010LPSQ-13

بخش سهام: 298

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMTH4005SPSQ-13

بخش سهام: 132157

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.9A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP4065S-13

بخش سهام: 115509

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMP2120G4TA

بخش سهام: 168179

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP3068L-13

بخش سهام: 101226

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 4.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTZ

بخش سهام: 176847

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN63D1LT-13

بخش سهام: 210

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 320mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3023L-13

بخش سهام: 121150

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMPH3010LPS-13

بخش سهام: 166908

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP4065SQ-13

بخش سهام: 209

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMTH3004LPSQ-13

بخش سهام: 132126

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Ta), 145A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2230UQ-13

بخش سهام: 120561

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMNH4006SPSQ-13

بخش سهام: 118950

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT10H010SPS-13

بخش سهام: 301

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.7A (Ta), 113A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT3006LDK-7

بخش سهام: 108536

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17.1A (Ta), 46.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG3414UQ-13

بخش سهام: 142205

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP6350S-13

بخش سهام: 172676

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 900mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP2033UVT-13

بخش سهام: 127849

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMPH3010LPSQ-13

بخش سهام: 150969

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3053L-13

بخش سهام: 169926

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP3010LPS-13

بخش سهام: 158526

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN313DLT-7

بخش سهام: 164994

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMNH6042SPS-13

بخش سهام: 187260

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN90H2D2HCTI

بخش سهام: 48825

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.2 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT34M1LPS-13

بخش سهام: 239

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG2301LK-13

بخش سهام: 118213

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP1055USW-7

بخش سهام: 167381

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN61D9UW-13

بخش سهام: 104912

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 340mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMG1013T-7

بخش سهام: 165762

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 460mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT3003LFG-13

بخش سهام: 141374

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2058U-13

بخش سهام: 133461

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN31D6UT-7

بخش سهام: 157203

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها