Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه

BCR 119F E6327
Infineon Technologies

BCR 119F E6327

بخش سهام: 1906

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR116WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR116WE6327BTSA1

بخش سهام: 1867

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 116T E6327
Infineon Technologies

BCR 116T E6327

بخش سهام: 1851

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 116L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 116L3 E6327

بخش سهام: 1886

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 116F E6327
Infineon Technologies

BCR 116F E6327

بخش سهام: 1882

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 114T E6327
Infineon Technologies

BCR 114T E6327

بخش سهام: 1871

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 114F E6327
Infineon Technologies

BCR 114F E6327

بخش سهام: 3258

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 114L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 114L3 E6327

بخش سهام: 1839

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 112T E6327
Infineon Technologies

BCR 112T E6327

بخش سهام: 1851

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR112WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR112WE6327BTSA1

بخش سهام: 1895

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 112F E6327
Infineon Technologies

BCR 112F E6327

بخش سهام: 5360

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 112L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 112L3 E6327

بخش سهام: 1840

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 108T E6327
Infineon Technologies

BCR 108T E6327

بخش سهام: 1842

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 108L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 108L3 E6327

بخش سهام: 3212

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 108F E6327
Infineon Technologies

BCR 108F E6327

بخش سهام: 1842

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 108 B6327
Infineon Technologies

BCR 108 B6327

بخش سهام: 1832

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 103T E6327
Infineon Technologies

BCR 103T E6327

بخش سهام: 1845

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 20mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 103L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 103L3 E6327

بخش سهام: 3195

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 20mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 103F E6327
Infineon Technologies

BCR 103F E6327

بخش سهام: 1824

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 20 @ 20mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 101L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 101L3 E6327

بخش سهام: 3195

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 50mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 100 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 100 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR512E6327HTSA1

بخش سهام: 183749

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

بخش سهام: 169612

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

بخش سهام: 111124

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

بخش سهام: 196205

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

بخش سهام: 112554

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

بخش سهام: 148436

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

بخش سهام: 179063

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

بخش سهام: 117390

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

بخش سهام: 155798

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

بخش سهام: 107313

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

بخش سهام: 187004

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 40 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

بخش سهام: 185332

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

بخش سهام: 192928

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 1 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

بخش سهام: 185599

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

بخش سهام: 184944

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 40 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

بخش سهام: 167043

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه