Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - دو قطبی (BJT) - منفرد ، پیش مغرضانه

BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

بخش سهام: 1955

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 40 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

بخش سهام: 1981

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

بخش سهام: 1986

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

بخش سهام: 2004

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

بخش سهام: 1907

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

بخش سهام: 3211

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 10 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 148W H6433
Infineon Technologies

BCR 148W H6433

بخش سهام: 1910

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 569 E6327
Infineon Technologies

BCR 569 E6327

بخش سهام: 1861

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 512 B6327
Infineon Technologies

BCR 512 B6327

بخش سهام: 1858

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 4.7 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 4.7 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 60 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 199T E6327
Infineon Technologies

BCR 199T E6327

بخش سهام: 1876

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 503 B6327
Infineon Technologies

BCR 503 B6327

بخش سهام: 1882

نوع ترانزیستور: NPN - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 500mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 2.2 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 2.2 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 40 @ 50mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 199F E6327
Infineon Technologies

BCR 199F E6327

بخش سهام: 1910

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

بخش سهام: 1899

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

بخش سهام: 1924

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 198F E6327
Infineon Technologies

BCR 198F E6327

بخش سهام: 1931

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

بخش سهام: 1885

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

بخش سهام: 1922

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

بخش سهام: 1860

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 196T E6327
Infineon Technologies

BCR 196T E6327

بخش سهام: 1855

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 196F E6327
Infineon Technologies

BCR 196F E6327

بخش سهام: 1930

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

بخش سهام: 1883

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 70mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 47 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

بخش سهام: 1884

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

بخش سهام: 1842

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

بخش سهام: 1916

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

بخش سهام: 1847

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

بخش سهام: 1847

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

بخش سهام: 3227

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

بخش سهام: 1904

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

بخش سهام: 1869

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

بخش سهام: 1877

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

بخش سهام: 1883

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 50 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

بخش سهام: 1898

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

بخش سهام: 3268

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 22 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 120 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

بخش سهام: 1845

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

بخش سهام: 1848

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه
BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

بخش سهام: 1892

نوع ترانزیستور: PNP - Pre-Biased, جریان - جمع کننده (Ic) (حداکثر): 100mA, ولتاژ - خرابی امیتر جمع کننده (حداکثر): 50V, مقاومت - پایه (R1): 10 kOhms, مقاومت - پایه امیتر (R2): 47 kOhms, سود جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce: 70 @ 5mA, 5V,

به لیست دلخواه