دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

MBRD660CTG

بخش سهام: 81424

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 3A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 3A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

بخش سهام: 69

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 4A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.05V @ 8A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

بخش سهام: 1564

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

بخش سهام: 1548

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

بخش سهام: 1563

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

بخش سهام: 1533

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

بخش سهام: 1212

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

بخش سهام: 1519

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

بخش سهام: 3870

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

بخش سهام: 1156

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

بخش سهام: 3030

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

بخش سهام: 1552

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

بخش سهام: 1213

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

بخش سهام: 972

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

بخش سهام: 1324

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

بخش سهام: 1192

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

بخش سهام: 3096

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

بخش سهام: 1844

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

بخش سهام: 1342

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

بخش سهام: 1491

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

FST160150

بخش سهام: 1636

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 80A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

بخش سهام: 100592

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 970mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

بخش سهام: 109388

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

بخش سهام: 128134

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 730mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

بخش سهام: 102836

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 580mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

بخش سهام: 67167

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 620mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

بخش سهام: 116952

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 680mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

بخش سهام: 121490

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 730mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

بخش سهام: 47709

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 30A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 640mV @ 30A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

بخش سهام: 159782

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.01V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

بخش سهام: 58911

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

بخش سهام: 40301

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

بخش سهام: 120106

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 90V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 850mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

بخش سهام: 157

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.25V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

بخش سهام: 152

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.23V @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

بخش سهام: 3747

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه