دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

MBRT60040R

بخش سهام: 959

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

بخش سهام: 1239

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

بخش سهام: 1084

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

FST12080

بخش سهام: 1525

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

بخش سهام: 1065

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

بخش سهام: 1133

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

بخش سهام: 1485

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

بخش سهام: 1082

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.35V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

بخش سهام: 1091

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

بخش سهام: 1273

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.35V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

بخش سهام: 985

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

بخش سهام: 992

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

بخش سهام: 3422

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

FST12030

بخش سهام: 1597

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

GeneSiC Semiconductor

FST12040

بخش سهام: 1554

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

بخش سهام: 148724

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 720mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

بخش سهام: 142397

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 720mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

بخش سهام: 72988

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 890mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

بخش سهام: 152283

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

بخش سهام: 65447

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 570mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

بخش سهام: 56553

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 580mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

بخش سهام: 115587

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 810mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

بخش سهام: 103984

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

بخش سهام: 73453

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 20A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 730mV @ 20A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

بخش سهام: 76935

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 570mV @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

بخش سهام: 179092

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 980mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

بخش سهام: 124

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 710A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.31V @ 2500A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

بخش سهام: 104

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 2200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 540A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.48V @ 1700A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

بخش سهام: 113

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 171A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.26V @ 500A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

بخش سهام: 137

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 260A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.32V @ 800A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

بخش سهام: 1918

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 15A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 15A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

بخش سهام: 116897

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200mA (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 600mV @ 200mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

به لیست دلخواه

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

بخش سهام: 164

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 950mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

بخش سهام: 51931

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 10A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 850mV @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

بخش سهام: 190167

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200mA (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 100mA, سرعت: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

به لیست دلخواه

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

بخش سهام: 122752

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 5A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 890mV @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

به لیست دلخواه