Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

بخش سهام: 153

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

بخش سهام: 141

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

بخش سهام: 84

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

بخش سهام: 149

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

بخش سهام: 94

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

به لیست دلخواه
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

بخش سهام: 175

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

بخش سهام: 176

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

به لیست دلخواه
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

بخش سهام: 161

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

به لیست دلخواه
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

بخش سهام: 140

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

به لیست دلخواه
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

بخش سهام: 180

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

به لیست دلخواه
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

بخش سهام: 144

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

بخش سهام: 174

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

بخش سهام: 6048

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

بخش سهام: 103

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

بخش سهام: 94

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

بخش سهام: 6104

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

بخش سهام: 129

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

بخش سهام: 170

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

بخش سهام: 116

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

بخش سهام: 166

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

بخش سهام: 159

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138N E8004
Infineon Technologies

BSS138N E8004

بخش سهام: 164

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138N E7854
Infineon Technologies

BSS138N E7854

بخش سهام: 6034

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138N E6908
Infineon Technologies

BSS138N E6908

بخش سهام: 6083

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138N E6433
Infineon Technologies

BSS138N E6433

بخش سهام: 174

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS127 E6327
Infineon Technologies

BSS127 E6327

بخش سهام: 172

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS126 E6906
Infineon Technologies

BSS126 E6906

بخش سهام: 106

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS126 E6327
Infineon Technologies

BSS126 E6327

بخش سهام: 152

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS123L7874XT
Infineon Technologies

BSS123L7874XT

بخش سهام: 161

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS119 E7978
Infineon Technologies

BSS119 E7978

بخش سهام: 169

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS123 E6433
Infineon Technologies

BSS123 E6433

بخش سهام: 169

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS119 E7796
Infineon Technologies

BSS119 E7796

بخش سهام: 122

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS119 E6433
Infineon Technologies

BSS119 E6433

بخش سهام: 145

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP92P E6327
Infineon Technologies

BSP92P E6327

بخش سهام: 140

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP615S2L
Infineon Technologies

BSP615S2L

بخش سهام: 129

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP613P
Infineon Technologies

BSP613P

بخش سهام: 153

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

به لیست دلخواه