Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

بخش سهام: 81443

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

بخش سهام: 281

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

به لیست دلخواه
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

بخش سهام: 305

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

بخش سهام: 251

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

بخش سهام: 339

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

بخش سهام: 277

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

بخش سهام: 6047

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

بخش سهام: 5654

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

به لیست دلخواه
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

بخش سهام: 6088

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

بخش سهام: 245

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

بخش سهام: 306

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

به لیست دلخواه
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

بخش سهام: 82285

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

بخش سهام: 311

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

بخش سهام: 246

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

بخش سهام: 264

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

بخش سهام: 303

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 190mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

بخش سهام: 298

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

بخش سهام: 227

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

بخش سهام: 295

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

بخش سهام: 228

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

بخش سهام: 265

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

بخش سهام: 257

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

بخش سهام: 321

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

بخش سهام: 290

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

به لیست دلخواه
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

بخش سهام: 6061

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

بخش سهام: 238

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 680mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

بخش سهام: 303

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 430mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

بخش سهام: 301

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 660mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

به لیست دلخواه
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

بخش سهام: 253

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.17A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

بخش سهام: 270

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

بخش سهام: 290

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

بخش سهام: 6106

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

به لیست دلخواه
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

بخش سهام: 276

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

به لیست دلخواه
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

بخش سهام: 251

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

به لیست دلخواه
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

بخش سهام: 232

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

به لیست دلخواه
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

بخش سهام: 276

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

به لیست دلخواه