ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

AOD4T60

AOD4T60

بخش سهام: 2185

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 1A, 10V,

به لیست دلخواه
AOW410
به لیست دلخواه
AOT474_001
به لیست دلخواه
AOT462_002
به لیست دلخواه
AOT440L_001
به لیست دلخواه
AOT440L
به لیست دلخواه
AOT416_002
به لیست دلخواه
AOT416L_001
به لیست دلخواه
AON7452L
به لیست دلخواه
AON7448L
به لیست دلخواه
AON6504_001
به لیست دلخواه
AON7444L
به لیست دلخواه
AON6450L_001
به لیست دلخواه
AON6454A_001
به لیست دلخواه
AON6444L
به لیست دلخواه
AON6450L
به لیست دلخواه
AON6400L
به لیست دلخواه
AON6270_001
به لیست دلخواه
APT4012BVR

APT4012BVR

بخش سهام: 2171

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 37A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT10M11JVR

APT10M11JVR

بخش سهام: 2201

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 144A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V,

به لیست دلخواه
APT58MJ50J

APT58MJ50J

بخش سهام: 2236

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

به لیست دلخواه
APT10M07JVR

APT10M07JVR

بخش سهام: 2161

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 225A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V,

به لیست دلخواه
APT8075BN

APT8075BN

بخش سهام: 2223

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 6.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT6040BNG

APT6040BNG

بخش سهام: 2165

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

به لیست دلخواه
APT6040BN

APT6040BN

بخش سهام: 2226

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

به لیست دلخواه
APT5025BN

APT5025BN

بخش سهام: 6264

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 11.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT6030BN

APT6030BN

بخش سهام: 2196

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 11.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT5022BNG

APT5022BNG

بخش سهام: 2234

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 220 mOhm @ 13.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT5020BNFR

APT5020BNFR

بخش سهام: 2155

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

به لیست دلخواه
APT5012JN

APT5012JN

بخش سهام: 2168

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT5020BN

APT5020BN

بخش سهام: 2225

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

به لیست دلخواه
APT40M42JN

APT40M42JN

بخش سهام: 2165

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 86A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,

به لیست دلخواه
APT40M75JN

APT40M75JN

بخش سهام: 2167

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V,

به لیست دلخواه
APT4065BNG

APT4065BNG

بخش سهام: 2197

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

به لیست دلخواه
APT1002RBNG

APT1002RBNG

بخش سهام: 6299

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

به لیست دلخواه
APT1001RBN

APT1001RBN

بخش سهام: 2149

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 5.5A, 10V,

به لیست دلخواه