ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

AOD5T40P_101

بخش سهام: 2281

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

بخش سهام: 2324

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

بخش سهام: 6236

AO4476AL_101

بخش سهام: 6299

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

بخش سهام: 6236

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

بخش سهام: 2299

AO4476AL

بخش سهام: 2255

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

بخش سهام: 2332

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

بخش سهام: 2318

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.5A (Ta), 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

بخش سهام: 40984

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Ta), 105A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

بخش سهام: 2224

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

بخش سهام: 2273

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 85A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

بخش سهام: 6225

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

بخش سهام: 2263

AOD4185_DELTA

بخش سهام: 6259

AOD413A_002

بخش سهام: 2224

AO6409_DELTA

بخش سهام: 2305

AO3424_102

بخش سهام: 6306

AO3419_101

بخش سهام: 2233

AO3423_102

بخش سهام: 2275

AO3416_104

بخش سهام: 2284

AO3415L_107

بخش سهام: 2282

AO3415_108

بخش سهام: 6278

AO3406_104

بخش سهام: 2286

AO3409_103

بخش سهام: 2287

AO3404A_104

بخش سهام: 2245

AO3402_103

بخش سهام: 2283

AOD4185L_DELTA

بخش سهام: 2225

AO3400A_101

بخش سهام: 2208

APT5SM170S

بخش سهام: 2313

نوع FET: N-Channel, فن آوری: SiCFET (Silicon Carbide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

بخش سهام: 2239

نوع FET: N-Channel, فن آوری: SiCFET (Silicon Carbide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

بخش سهام: 2305

فن آوری: SiCFET (Silicon Carbide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A,

APT130SM70J

بخش سهام: 2271

نوع FET: N-Channel, فن آوری: SiCFET (Silicon Carbide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 78A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

بخش سهام: 2237

نوع FET: N-Channel, فن آوری: SiCFET (Silicon Carbide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

بخش سهام: 6282

AUIRLR024ZTRL

بخش سهام: 141585

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,