نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 900V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 7A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 4V @ 700µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (حداکثر) | ±30V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1350pF @ 25V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 200W (Tc) |
دمای کار | 150°C (TJ) |
نوع نصب | Through Hole |
بسته دستگاه تأمین کننده | TO-3P(N) |
بسته بندی / مورد | TO-3P-3, SC-65-3 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |