نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 100mA (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 1.5V @ 100µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | - |
Vgs (حداکثر) | ±20V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 150mW (Ta) |
دمای کار | 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | ESV |
بسته بندی / مورد | SOT-553 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |