| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Not For New Designs |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 7.3A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 3.9V @ 350µA |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (حداکثر) | ±20V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 790pF @ 25V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف انرژی (حداکثر) | 83W (Tc) |
| دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته دستگاه تأمین کننده | PG-TO251-3 |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
