نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 93A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 18V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (حداکثر) | +22V, -4V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2208pF @ 500V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 339W (Tc) |
دمای کار | 175°C (TJ) |
نوع نصب | Through Hole |
بسته دستگاه تأمین کننده | TO-247N |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |