| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 40A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Vgs (حداکثر) | +22V, -6V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2080pF @ 800V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف انرژی (حداکثر) | 262W (Tc) |
| دمای کار | 175°C (TJ) |
| نوع نصب | Through Hole |
| بسته دستگاه تأمین کننده | TO-247 |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
