نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 12A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 20V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 3.5V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 22nC @ 20V |
Vgs (حداکثر) | +25V, -10V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 290pF @ 400V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 150W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 200°C (TJ) |
نوع نصب | Through Hole |
بسته دستگاه تأمین کننده | HiP247™ |
بسته بندی / مورد | TO-247-3 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |