نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 1.5A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 266 mOhm @ 750mA, 4.5V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | - |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
Vgs (حداکثر) | ±10V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 120pF @ 10V |
ویژگی FET | Schottky Diode (Isolated) |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 800mW (Ta) |
دمای کار | 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | 5-MCPH |
بسته بندی / مورد | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |