| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| ویژگی FET | Silicon Carbide (SiC) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 58A |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | - |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | - |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | - |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | - |
| قدرت - حداکثر | - |
| دمای کار | - |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی / مورد | 9-SMD Power Module |
| بسته دستگاه تأمین کننده | SMPD |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
