نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 18A (Ta), 81A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.45V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (حداکثر) | ±20V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2420pF @ 10V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | DIRECTFET™ ST |
بسته بندی / مورد | DirectFET™ Isometric ST |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |