| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | - |
| فن آوری | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 45A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | - |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 60 mOhm @ 20A |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | - |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | - |
| Vgs (حداکثر) | - |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3091pF @ 800V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف انرژی (حداکثر) | 282W (Tc) |
| دمای کار | 175°C (TJ) |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته دستگاه تأمین کننده | D2PAK (7-Lead) |
| بسته بندی / مورد | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
