| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | N-Channel |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 4A (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (حداکثر) | ±12V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 273pF @ 10V |
| ویژگی FET | Schottky Diode (Isolated) |
| اتلاف انرژی (حداکثر) | 1.7W (Ta) |
| دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته دستگاه تأمین کننده | MicroFET 3x3mm |
| بسته بندی / مورد | 6-WDFN Exposed Pad |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
