| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ویژگی FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 80V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| قدرت - حداکثر | - |
| دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع نصب | Surface Mount |
| بسته بندی / مورد | Die |
| بسته دستگاه تأمین کننده | Die |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |
