نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | GaNFET (Gallium Nitride) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 1.7A |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 5V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 25 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
Vgs (حداکثر) | +6V, -4V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 280pF @ 50V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | - |
دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | Die |
بسته بندی / مورد | Die |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |