نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 11.8A (Ta), 123A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 4V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 56.4nC @ 10V |
Vgs (حداکثر) | ±20V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4.468nF @ 50V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 1.5W (Ta) |
دمای کار | -55°C ~ 175°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | PowerDI5060-8 |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |