نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 8V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 10A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 10 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 1.1V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Vgs (حداکثر) | -6V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1060pF @ 4V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 890mW (Ta) |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | U-WLB1515-9 |
بسته بندی / مورد | 9-UFBGA, WLBGA |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |