نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 12V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 7.5A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 1.8V, 3.3V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 17 mOhm @ 5A, 3.3V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 1V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 16nC @ 3.3V |
Vgs (حداکثر) | ±8V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1503pF @ 6V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 1.47W |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | X3-DSN1010-3 |
بسته بندی / مورد | 3-XDFN |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |