| نوع | شرح |
| وضعیت قطعه | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ویژگی FET | Silicon Carbide (SiC) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 193A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
| Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 378nC @ 20V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
| قدرت - حداکثر | 925W |
| دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع نصب | Chassis Mount |
| بسته بندی / مورد | Module |
| بسته دستگاه تأمین کننده | Module |
| وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
|---|---|
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
| وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
| دسته سهام | ذخیره موجود |