نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 130A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4.9 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.5V @ 100µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
Vgs (حداکثر) | ±16V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3810pF @ 25V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 140W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 175°C (TJ) |
نوع نصب | Through Hole |
بسته دستگاه تأمین کننده | PG-TO251-3 |
بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |