نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 200V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 317A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 6 mOhm @ 158.5A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 5V @ 10mA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 448nC @ 10V |
Vgs (حداکثر) | ±30V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 27400pF @ 25V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 1136W (Tc) |
دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Chassis Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | SP6 |
بسته بندی / مورد | SP6 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |