نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 600V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 4A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 4.5V @ 250µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (حداکثر) | ±30V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 640pF @ 25V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 25W (Tc) |
دمای کار | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Through Hole |
بسته دستگاه تأمین کننده | - |
بسته بندی / مورد | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |