Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1034CX-T1-GE3

بخش سهام: 141761

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

بخش سهام: 2536

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 840mA (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB68EP-T1_GE3

بخش سهام: 2512

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

بخش سهام: 181601

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7228DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7228DN-T1-GE3

بخش سهام: 108156

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ200DT-T1-GE3

بخش سهام: 2544

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-E3

بخش سهام: 118929

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

بخش سهام: 2589

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

بخش سهام: 132067

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7272DP-T1-GE3

بخش سهام: 110674

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI4931DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4931DY-T1-GE3

بخش سهام: 180864

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 350µA,

لیست علاقه مندیها
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

بخش سهام: 190253

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

بخش سهام: 3310

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

بخش سهام: 77437

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

بخش سهام: 180836

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

بخش سهام: 125137

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

بخش سهام: 185277

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

بخش سهام: 63525

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

بخش سهام: 86516

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI1036X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

بخش سهام: 2514

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7956DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

بخش سهام: 44000

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

بخش سهام: 185794

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 485mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

بخش سهام: 171457

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIZ730DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

بخش سهام: 117470

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, 35A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

بخش سهام: 158519

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

بخش سهام: 189530

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

بخش سهام: 117423

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

بخش سهام: 100159

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

بخش سهام: 63261

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJ958EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

بخش سهام: 2544

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

بخش سهام: 63492

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

بخش سهام: 103126

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

بخش سهام: 70505

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SQJB42EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

بخش سهام: 152436

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

بخش سهام: 190258

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF00DN-T1-GE3

بخش سهام: 2608

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها