Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IRLL1905TR
Vishay Siliconix

IRLL1905TR

بخش سهام: 9308

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Ta),

لیست علاقه مندیها
SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR642DP-T1-GE3

بخش سهام: 96123

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD25N04-25-T4-E3

بخش سهام: 9481

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-GE3

بخش سهام: 9345

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB415DK-T1-GE3

بخش سهام: 9323

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 87 mOhm @ 4.17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2807ZSTRL
Vishay Siliconix

IRF2807ZSTRL

بخش سهام: 9393

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix

SUM27N20-78-E3

بخش سهام: 9313

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR788DP-T1-GE3

بخش سهام: 139903

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR640DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR640DP-T1-GE3

بخش سهام: 9450

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-GE3

بخش سهام: 9413

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1303DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-GE3

بخش سهام: 9407

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 670mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI5853CDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5853CDC-T1-E3

بخش سهام: 9404

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRF644N
Vishay Siliconix

IRF644N

بخش سهام: 9177

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-GE3

بخش سهام: 9387

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRFZ44R
Vishay Siliconix

IRFZ44R

بخش سهام: 9161

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM47N10-24L-E3
Vishay Siliconix

SUM47N10-24L-E3

بخش سهام: 9288

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM110N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUM110N04-03-E3

بخش سهام: 9456

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI9424BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9424BDY-T1-E3

بخش سهام: 9338

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRLU3714TR
Vishay Siliconix

IRLU3714TR

بخش سهام: 9321

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4836DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-E3

بخش سهام: 9523

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI4384DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4384DY-T1-GE3

بخش سهام: 99155

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA811DJ-T1-GE3

بخش سهام: 9358

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRFI620
Vishay Siliconix

IRFI620

بخش سهام: 9269

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7822TRL
Vishay Siliconix

IRF7822TRL

بخش سهام: 9261

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRFR9310PBF
Vishay Siliconix

IRFR9310PBF

بخش سهام: 53149

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB16N50K
Vishay Siliconix

IRFB16N50K

بخش سهام: 9492

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5402BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-E3

بخش سهام: 9317

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1402DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-E3

بخش سهام: 9470

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR878DP-T1-GE3

بخش سهام: 73118

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1411DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-E3

بخش سهام: 5957

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 420mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF644NS
Vishay Siliconix

IRF644NS

بخش سهام: 9208

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix

SI2302ADS-T1

بخش سهام: 9447

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRF3314STRL
Vishay Siliconix

IRF3314STRL

بخش سهام: 9228

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB13N50A
Vishay Siliconix

IRFB13N50A

بخش سهام: 9258

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-E3

بخش سهام: 9272

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM110N03-03P-E3
Vishay Siliconix

SUM110N03-03P-E3

بخش سهام: 9469

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها