Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
SI5410DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5410DU-T1-GE3

بخش سهام: 139887

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 6.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1046X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1046X-T1-GE3

بخش سهام: 594

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI4170DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4170DY-T1-GE3

بخش سهام: 632

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIB800EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

بخش سهام: 598

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SQD50P04-13L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P04-13L_GE3

بخش سهام: 51938

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR110TRPBF
Vishay Siliconix

IRLR110TRPBF

بخش سهام: 168656

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

لیست علاقه مندیها
SI1071X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1071X-T1-GE3

بخش سهام: 707

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 167 mOhm @ 960mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7196DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-GE3

بخش سهام: 600

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL620PBF
Vishay Siliconix

IRL620PBF

بخش سهام: 38368

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 5V,

لیست علاقه مندیها
SI5463EDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5463EDC-T1-E3

بخش سهام: 421

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRLD110PBF
Vishay Siliconix

IRLD110PBF

بخش سهام: 75536

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 600mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1065X-T1-E3

بخش سهام: 402

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI2302ADS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2302ADS-T1-E3

بخش سهام: 415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI7382DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7382DP-T1-E3

بخش سهام: 418

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7483ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7483ADP-T1-E3

بخش سهام: 6063

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1488DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1488DH-T1-E3

بخش سهام: 436

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI1012X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1012X-T1-E3

بخش سهام: 412

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI3455ADV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3455ADV-T1-E3

بخش سهام: 456

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1058X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1058X-T1-E3

بخش سهام: 416

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SUM110N06-3M9H-E3
Vishay Siliconix

SUM110N06-3M9H-E3

بخش سهام: 22212

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI1413EDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1413EDH-T1-E3

بخش سهام: 6088

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI3447BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3447BDV-T1-E3

بخش سهام: 447

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI8424DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8424DB-T1-E1

بخش سهام: 491

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI4831DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4831DY-T1-E3

بخش سهام: 411

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3495DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3495DV-T1-E3

بخش سهام: 440

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI1433DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1433DH-T1-E3

بخش سهام: 381

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5853DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5853DC-T1-E3

بخش سهام: 459

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI1305EDL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1305EDL-T1-E3

بخش سهام: 470

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 860mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI5485DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5485DU-T1-E3

بخش سهام: 483

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
TN0200K-T1-E3
Vishay Siliconix

TN0200K-T1-E3

بخش سهام: 471

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI8405DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8405DB-T1-E1

بخش سهام: 486

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI3441BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3441BDV-T1-E3

بخش سهام: 462

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.45A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIE800DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-E3

بخش سهام: 487

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBE30PBF
Vishay Siliconix

IRFBE30PBF

بخش سهام: 41858

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5480DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5480DU-T1-E3

بخش سهام: 443

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIE830DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE830DF-T1-E3

بخش سهام: 450

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها