بخش سهام: 221
نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,