ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

TPH3202PD

بخش سهام: 7016

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3205WSB

بخش سهام: 3254

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208PD

بخش سهام: 986

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3207WS

بخش سهام: 2351

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206LS

بخش سهام: 6040

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208LS

بخش سهام: 5664

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208PS

بخش سهام: 6263

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206PD

بخش سهام: 5709

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206PS

بخش سهام: 6777

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TP65H035WS

بخش سهام: 2828

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 12V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208LDG

بخش سهام: 5597

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206LDGB

بخش سهام: 6072

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TP65H050WS

بخش سهام: 1890

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 12V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206LD

بخش سهام: 6066

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208LSG

بخش سهام: 1701

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3205WSBQA

بخش سهام: 2970

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206PSB

بخش سهام: 6741

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TP90H180PS

بخش سهام: 2997

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206LSB

بخش سهام: 6120

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3212PS

بخش سهام: 4430

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3202LD

بخش سهام: 6662

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3202LS

بخش سهام: 6623

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3208LD

بخش سهام: 5648

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3202PS

بخش سهام: 7016

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

لیست علاقه مندیها

TPH3206LDB

بخش سهام: 6074

نوع FET: N-Channel, فن آوری: GaNFET (Gallium Nitride), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

لیست علاقه مندیها

25