ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

2SK3566(STA4,Q,M)

بخش سهام: 385

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SJ168TE85LF

بخش سهام: 341

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 10V,

2SJ305TE85LF

بخش سهام: 422

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 50mA, 2.5V,

2SK2009TE85LF

بخش سهام: 425

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 50MA, 2.5V,

2SK3564(STA4,Q,M)

بخش سهام: 36814

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SK3670,F(M

بخش سهام: 2132

2SK3670,F(J

بخش سهام: 2216

2SK3670(T6CANO,F,M

بخش سهام: 2161

2SK3670(T6CANO,A,F

بخش سهام: 2130

2SK2989,T6F(J

بخش سهام: 2179

2SK2989(TPE6,F,M)

بخش سهام: 2201

2SK2989(T6CANO,F,M

بخش سهام: 2219

2SK2989(T6CANO,A,F

بخش سهام: 2169

2SK2962,T6WNLF(M

بخش سهام: 2138

2SK2962,T6WNLF(J

بخش سهام: 6215

2SK2962,T6F(M

بخش سهام: 2169

2SK2962,T6F(J

بخش سهام: 2183

2SK2962(TE6,F,M)

بخش سهام: 2198

2SK2962,F(J

بخش سهام: 2201

2SK2962(T6CANO,F,M

بخش سهام: 2178

2SK2962(T6CANO,A,F

بخش سهام: 2217

2SJ438,Q(J

بخش سهام: 6290

2SJ438,Q(M

بخش سهام: 2142

2SJ438,MDKQ(M

بخش سهام: 2148

2SJ438,MDKQ(J

بخش سهام: 6253

2SJ438(CANO,A,Q)

بخش سهام: 2179

2SJ438(CANO,Q,M)

بخش سهام: 6267

2SJ438(AISIN,Q,M)

بخش سهام: 2148

2SJ438(AISIN,A,Q)

بخش سهام: 2215

2SK2034TE85LF

بخش سهام: 2095

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK2035(T5L,F,T)

بخش سهام: 1665

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK1829TE85LF

بخش سهام: 1614

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SK3309(TE24L,Q)

بخش سهام: 1621

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

2SK2967(F)

بخش سهام: 6205

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

2SK4021(Q)

بخش سهام: 783

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

2SK4017(Q)

بخش سهام: 100330

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,