ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

بخش سهام: 2899

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

بخش سهام: 2655

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

بخش سهام: 2793

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

بخش سهام: 74678

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

بخش سهام: 119511

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K5TB

بخش سهام: 2680

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

بخش سهام: 180120

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M5TB

بخش سهام: 2649

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M10FU6TB

بخش سهام: 2786

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

بخش سهام: 139446

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M6TB

بخش سهام: 2678

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8J4TB

بخش سهام: 2713

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

بخش سهام: 76064

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

بخش سهام: 2917

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

بخش سهام: 98693

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M9TB

بخش سهام: 2650

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K1TB

بخش سهام: 2651

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

MP6K31TCR

بخش سهام: 2841

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K1FU6TB

بخش سهام: 152435

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

UM5K1NTR

بخش سهام: 2679

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

MP6K11TCR

بخش سهام: 2911

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K4FU6TB

بخش سهام: 82282

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K3FU6TB

بخش سهام: 110124

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M3TB

بخش سهام: 2700

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M7FU6TB

بخش سهام: 2829

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

EM5K5T2R

بخش سهام: 118220

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K4TB

بخش سهام: 2701

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M6FU6TB

بخش سهام: 2843

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M7TB

بخش سهام: 2650

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M10TB

بخش سهام: 2633

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

EM6K6T2R

بخش سهام: 176106

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

TT8M1TR

بخش سهام: 124589

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8K2FU6TB

بخش سهام: 118884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

MP6K12TCR

بخش سهام: 2916

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

SP8M9FU6TB

بخش سهام: 2786

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 1mA,

لیست علاقه مندیها

Rohm Semiconductor

US5K3TR

بخش سهام: 2728

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A,

لیست علاقه مندیها

178

«
1
2
3
4
5
»