ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

2SK3892

2SK3892

بخش سهام: 11969

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3048

2SK3048

بخش سهام: 32345

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3043

2SK3043

بخش سهام: 31742

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3046

2SK3046

بخش سهام: 24158

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3045

2SK3045

بخش سهام: 37750

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3064G0L

2SK3064G0L

بخش سهام: 2106

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SK302200L

2SK302200L

بخش سهام: 1551

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK326800L

2SK326800L

بخش سهام: 1465

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK303000L

2SK303000L

بخش سهام: 84713

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK302500L

2SK302500L

بخش سهام: 40869

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK303100L

2SK303100L

بخش سهام: 70055

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK327700L

2SK327700L

بخش سهام: 97609

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 Ohm @ 1.25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK1374G0L

2SK1374G0L

بخش سهام: 648

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

لیست علاقه مندیها
2SJ0674G0L

2SJ0674G0L

بخش سهام: 636

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK0601G0L

2SK0601G0L

بخش سهام: 707

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SJ0536G0L

2SJ0536G0L

بخش سهام: 713

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SK3547G0L

2SK3547G0L

بخش سهام: 594

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK0664G0L

2SK0664G0L

بخش سهام: 599

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SK3539G0L

2SK3539G0L

بخش سهام: 585

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK3546G0L

2SK3546G0L

بخش سهام: 612

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK137400L

2SK137400L

بخش سهام: 9805

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

لیست علاقه مندیها
2SK066500L

2SK066500L

بخش سهام: 9747

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SJ067400L

2SJ067400L

بخش سهام: 9814

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SJ058200L

2SJ058200L

بخش سهام: 9829

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK3318

2SK3318

بخش سهام: 9808

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 460 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK354700L

2SK354700L

بخش سهام: 9526

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK3546J0L

2SK3546J0L

بخش سهام: 9480

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
2SK0665G0L

2SK0665G0L

بخش سهام: 9355

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SK221100L

2SK221100L

بخش سهام: 9251

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK0615

2SK0615

بخش سهام: 9274

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK066400L

2SK066400L

بخش سهام: 9187

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SK122800L

2SK122800L

بخش سهام: 5951

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

لیست علاقه مندیها
2SK353900L

2SK353900L

بخش سهام: 9183

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

لیست علاقه مندیها
2SK060100L

2SK060100L

بخش سهام: 9182

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
2SK306400L

2SK306400L

بخش سهام: 9142

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
2SJ053600L

2SJ053600L

بخش سهام: 9187

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

لیست علاقه مندیها